“十五”期间，在18号文件政策的引导和应用市场的带动下，我国集成电路产业规模迅速扩大，技术水平不断提高，产业体系日趋完善，实现了较快发展。 

但我国集成电路产业仍存在许多问题和矛盾，与信息产业发展要求仍存在相当差距。“十一五”是我国全面建设小康社会的重要时期，也是信息产业强国战略的重要起步期，在这种新的形势下，我们要推动集成电路产业实现又好又快发展。 

优先发展集成电路设计业 

“十五”期间，国家颁布了《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》及《集成电路产业研究与开发专项基金管理暂行办法》等一系列政策措施，为国内集成电路产业发展营造了良好的环境，有力地促进了集成电路产业的发展，我国集成电路设计业得到长足进步。 

“十一五”期间我们仍将坚持以集成电路设计业为龙头，继续加大支持力度，完善相关产业政策、法规的制定和落实，加快出台《进一步促进软件产业和集成电路产业的若干政策》，力争出台软件与集成电路产业促进条例，为集成电路设计业的发展提供良好的政策氛围。 

“十一五”期间要大力推进集成电路设计企业和整机应用厂商之间的合作，推动新技术的广泛应用，以应用促发展。加快建设企业为主体、社会各界参与的集成电路共性技术研发和公共服务平台，促进企业间联合开发。充分发挥行业协会的桥梁纽带作用，鼓励企业成立各类技术合作机构，共同推进新技术研发和标准的制定。 

重视专利和标准作用，努力提升专利数量和质量，研发一批拥有自主知识产权的核心关键技术。将涉及国家经济和国防安全等重要领域的核心关键技术开发纳入到国家总体发展规划。加快启动国家科技和产业化重大专项，实现重点突破。 

坚持市场导向、企业运作、政府引导的原则，集中力量培育有核心竞争力的骨干企业。积极支持企业根据自身发展的要求，以市场为导向，以资本为纽带，进行跨行业、跨部门、跨地区、跨所有制的收购、兼并、重组，形成一批拥有著名品牌和自主知识产权、主业突出、核心技术开发水平较高、市场竞争力强的优势企业。 

积极发展集成电路制造业 

我国要想提高集成电路产业控制力，需要从产业模式上取得突破，积极发展集成器件制造模式，从制造入手，进而向产业链两端延伸，形成完整的集成电路制造体系。 

目前我国集成电路芯片制造业缺乏成熟的工艺制造技术。“十一五”期间，我们要积极开发90nm、60nm乃至45nm的高速、低功耗芯片和新型硅基集成电路的制造工艺技术，研究新型的光刻及离子注入技术，缩小技术差距。鼓励12英寸高水平生产线建设；推动现有生产线的技术升级，支持“909”工程升级改造，增强产业控制力。 

在“十一五”期间，要努力把握未来国内外超大规模集成电路的发展趋势，掌握标准工艺IP核的国内外市场需求，加大对处理器、存储器等关键IP核的开发，为我国超大规模集成电路IP核系列的开发探索有效途径；启动软/硬件协同设计、IP复用和与SoC相关的新工艺、新器件及可靠性领域中若干关键技术的预研；推动国家IP库的建立，并做好后续的维护升级及专利保护工作。 

提升封装测试能力 

大力发展BGA、CSP、MCP、MCM、MEMS等高密度封装技术势在必行，要着力提升我国封装业的研发和产业化水平。 

“十一五”期间，要加大研发和产业化投入，提高和完善开发环境和手段，加快新型封装材料的发展，逐步改变目前基本依赖进口的局面。 

高密度集成电路封装对测试技术提出了更加严格的要求。测试技术更多地固化在测试仪器内。“十一五”期间要重点推进新型测试设备的研发，不断提高测试效率和精度。 

增强关键设备和材料开发能力 

重点开发12英寸硅抛光片和8英寸、12英寸硅外延片，锗硅外延片，SOI材料，宽禁带化合物半导体材料，新型互连材料等材料；努力掌握6-8英寸集成电路设备的制造技术；力争实现12英寸65纳米激光步进光刻机、大角度倾斜大剂量离子注入机、金属氧化物化学气相沉积设备，高密度等离子体刻蚀机、大尺寸扩散炉等重大关键装备的产业化；加强企业和研发中心之间的合作。 

在6-8英寸用光刻机、刻蚀机、离子注入机、立式扩散炉、快速热处理设备，氧化扩散设备、化学腐蚀设备、硅片清洗设备、划片机、键合机、集成电路自动封装系统等设备实用化的基础上，提供批量供应。对用量较大的光刻胶、清洗、刻蚀试剂化学抛光液等，力争在“十一五”期间实现产业化。 

“十一五”期间，建立完善的集成电路产业链是产业持续健康发展的核心任务。全行业要以芯片设计为突破口，并以芯片制造作为重点，以关键设备和材料为基础，积极发展集成电路封装业，推进集成电路产业链各环节协调发展，尽快建立起植根于国内、具有核心竞争能力的产业体系。 

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